高速先生成員--薑傑

高速先生前段時間分享過一篇文章《諧振威力，不容小覷》，介紹（shào）了平麵諧振影響（xiǎng）信號插損（sǔn）的案例。

細心的粉絲發現（xiàn）一個問題：案例中的器件布局在單板（bǎn）的TOP層（céng），產生諧振的（de）電源平麵在L13層，如果說L13層以下的布線層，比如L18及L22層信號過孔穿過諧振腔，受到影響還能理解。

那麽，對於背（bèi）鑽後的L9層和L11層的信號過（guò）孔，在Z軸方向上，明明離著（zhe）諧振腔還有一定的間距，為什（shí）麽插損也會受影響？

文字描述略複（fù）雜，看圖一目了然。為了讓大家看清楚Z軸方向的間距H，圖（tú）中僅展（zhǎn）示L9層信號走（zǒu）線、相應（yīng）差分過孔，以及L13層的電源平麵。

乍一看，信號路徑與電源平麵完全沒有交集插損異（yì）常出現的沒來（lái）由，分析無從下手……

如果能換個角度，比如，電（diàn）磁（cí）場的分布，問題便（biàn）會迎刃而（ér）解。

信號傳輸過程中場的分布如下，答案就在其中！

給關鍵位置來個懟臉特寫：

所以，真實的情況是，看似毫無（wú）關聯的信號路（lù）徑與電源平麵，實際通過電磁場暗通款曲。

接下來，高速先（xiān）生將（jiāng）通過仿真對比，展示信號插損跌落從（cóng）無到有的過程，從而（ér）說明信號路徑與電源平麵（miàn）間（jiān）距的影響。

這次選擇的仿真對象是L7層信號（hào）（對應過孔下端的藍色走線層（céng）麵），如果（guǒ）大家還有印象的話（沒印象（xiàng）可以直接翻看文初第一（yī）個圖），該層（céng）走線的插損最初是沒有異常跌（diē）落的。模型調整的（de）是原本位於L13層電源平麵（圖中紫色（sè）高亮）的層（céng）麵。同時，為（wéi）了減少變量，讓結（jié）論更清晰，模型（xíng）中（zhōng）的過孔stub全部（bù）設置為0，直接上圖：

插損仿真結果如下：隨著電源平麵與信號路徑越（yuè）來越近（jìn），插損異常跌落從無到有，並逐（zhú）漸增大。

電場分布仿真結果反映了同樣的趨勢（shì），隨著電源平麵（miàn）與信號路（lù）徑越來越（yuè）近，電源平麵（miàn）上的電場強度逐漸增加。

看到這裏（lǐ），嚴謹的粉絲可能又（yòu）會問了：過孔stub為0隻（zhī）是理想情況，實際stub長度（dù）到底有多大影響呢？

別急，我們保留L7層走線，L9層電源平麵的模型（位（wèi）於中間的L8層（céng）是GND平麵（miàn））繼續研究。

通過對比發現，隨著stub長（zhǎng）度的增加，插損跌落的幅度隨（suí）之加大。這也從（cóng）另一個（gè）角度說明（míng），平麵諧振腔（qiāng）距信號路徑（雖然過孔stub是我們極力避（bì）免的，但也是信號路徑的一部分）越近，對信號（hào）產（chǎn）生的影響也越大（dà）。

綜上，平麵諧振對信號插損的影響（xiǎng），並非隻存在於信（xìn）號路徑穿過諧振腔這一種情況（kuàng）——即（jí）便兩者在Z軸方向有一定間距，通過電磁場的隔山打（dǎ）牛，依然可能會引發插損異常。

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